關於常憶科技
常憶科技，始創於1995年，是開發P型電晶體非揮發性記憶體的先鋒，它由pFlash和pFusion兩個事業單位相攜組成。 pFlash開發和生產標準型NOR記憶體，pFusion負責授權予晶圓代工廠及IC設計公司以嵌入式非揮發記憶體的生產技術及智財權並提供客制化設計及技術諮詢服務，用於生產微控制器、單晶片系統和各種智慧卡，這些產品廣泛應用於消費性電子產品、電腦及其周邊設備、無線通訊、網路裝置以及工業控制等。
pFlash 和 pFusion都提供業界最高品質的擦寫規格，在20萬次擦寫後仍可保存資料長達20年，以及低於百萬分之四的世界級出貨品質水準。存儲單元為有專利的雙電晶體PMOS 和band-to-band-tunnel(BTBT)的資料寫入機制可確保最佳的擦寫與讀取性能、智財面積的最小化、以及最短的測試時間。此外，快閃記憶體單元的製造技術使用傳統的ETOX結構使工廠的生產和微縮更簡單容易。
在同一pFusion的技術平臺下，使用e²Flash 和 e²Logic兩個制程。e²Flash 使用雙層多晶矽邏輯相容制程，針對于高密度的嵌入式非揮發性產品。 e²Logic使用標準的單多晶矽邏輯制程，不用增加掩膜層，主要針對於低密度的嵌入式非揮發性產品。
常憶科技在線路設計、工藝技術、和器件工程上擁有超過60多個專利。