关于常忆科技
常忆科技，始创于1995年，是开发P型晶体管非挥发性内存的先锋，它由pFlash和pFusion两个事业单位相携组成。 pFlash开发和生产标准型NOR内存，pFusion负责授权予晶圆代工厂及IC设计公司以嵌入式非挥发内存的生产技术及智财权并提供客制化设计及技术咨询服务，用于生产微控制器、单芯片系统和各种智能卡，这些广泛应用于消费性电子产品、计算机及其接口设备、无线通讯、网络装置以及工业控制等。
pFlash 和 pFusion都提供业界最高质量的擦写规格，在20万次擦写后仍可保存数据长达20年，以及低于百万分之四的世界级出货质量水平。存储单元为有专利的双晶体管PMOS 和band-to-band-tunnel(BTBT)的数据写入机制可确保最佳的擦写与读取性能、智财面积的最小化、以及最短的测试时间。此外，闪存单元的制造技术使用传统的ETOX结构使工厂的生产和微缩更简单容易。
在同一pFusion的技术平台下，使用e²Flash 和 e²Logic两个制程。e²Flash 使用双层多晶硅逻辑兼容制程，针对于高密度的嵌入式非挥发性产品。 e²Logic使用标准的单多晶硅逻辑制程，不用增加掩膜层，主要针对于低密度的嵌入式非挥发性产品。
常忆科技在线路设计、工艺技术、和器件工程上拥有超过60多个专利。